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89000.00元而在電動車輛中，電力電子器件必須節省空間、重量輕、并且即使在惡劣的條件下也要工作可靠。為了滿足這些要求，傳統基于模塊的封裝方式已經不能適應下游市場發展的需要，目前，銀燒結技術成為..09月12日
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87000.00元傳統釬焊料熔點低、導熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應用要求。此外隨著第三代半導體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發展，對封裝的性能方面提出了更為嚴苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月12日
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89000.00元目前盡可能從機械方面集成電力電子系統所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發展。芯片連接采用銀燒結合金而不是焊接，燒結連接熔點更高，這意味著在給..09月12日
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87000.00元燒結銀技術的優勢與特點 1.什么是燒結銀技術 20世紀80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫燒結技術，即通過銀燒結銀顆粒AS9385實現功率半導體器件與基板的互連方法。SHAREX的AS9385銀燒結..09月12日
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89000.00元與傳統的高溫無鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結技術燒結連接層成分為銀，具有優異的導電和導熱性能，由于銀的熔點高達961℃，將不會產生熔點小于300℃的軟釬焊連層中出現的典型疲勞效應，具有極高..09月12日
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89000.00元目前盡可能從機械方面集成電力電子系統所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發展。目前，銀燒結技術成為國內外第三代半導體封裝技術中應用最為廣泛的技..09月12日
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89000.00元而在電動車輛中，電力電子器件必須節省空間、重量輕、并且即使在惡劣的條件下也要工作可靠。為了滿足這些要求，傳統基于模塊的封裝方式已經不能適應下游市場發展的需要，由于材料的熱膨脹系數..09月12日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。傳統釬焊料熔點低、導熱性差，..09月12日
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89000.00元由于材料的熱膨脹系數不同、高溫波動和運行過程中的過度負載循環將導致焊料層疲勞，影響寬禁帶半導體模塊的可靠性。與傳統的高溫無鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結技術燒結連接層成分為銀，具有..09月12日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。銀燒結是一種經過驗證的芯片粘..09月12日
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87000.00元在這種燒結過程中，在適當的壓力、溫度和時間條件下，經過持續加熱，有壓燒結銀AS9385由粉末形態變為固體結構。與傳統焊接材料相比，這種技術產生的燒結鍵更可靠，能夠提高器件的性能和壽命。..09月12日
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87000.00元燒結銀技術的優勢與特點 1.什么是燒結銀技術 20世紀80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫燒結技術，即通過銀燒結銀顆粒AS9385實現功率半導體器件與基板的互連方法。SHAREX善仁新材是燒結..09月12日
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89000.00元相比焊接模塊，加壓燒結銀的銀燒結技術對模組結構、使用壽命、散熱產生了重要影響，采用銀燒結技術可使模塊使用壽命提高5-10倍，芯片連接采用銀燒結合金而不是焊接，燒結連接熔點更高，這意味..09月12日
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87000.00元銀燒結是一種經過驗證的芯片粘接技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有高導熱性和導電性。 這種有壓燒結銀AS9385技術良品率高，十分可靠。相對于焊料合金，銀燒結技術可以更有效的提高大功..09月12日
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87000.00元銀燒結是一種經過驗證的芯片粘接技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有高導熱性和導電性。 這種有壓燒結銀AS9385技術良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是燒結銀產品和服務的市場領導者。..09月12日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。在這種燒結過程中，在適當的壓..09月12日
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89000.00元燒結銀可以解決現有存在的五個難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發展總體目標是提高功率（電流，電壓）——降低半導體控制和開關時損耗——擴展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月12日
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87000.00元SHAREX的AS9385銀燒結技術也被成為低溫連接技術（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無鉛化芯片互連技術，AS9385燒結銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和..09月12日
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89000.00元目前，銀燒結技術成為國內外第三代半導體封裝技術中應用最為廣泛的技術，美國、日本等碳化硅模塊生產企業均采用此技術。在銀燒結技術中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，需要在基板裸銅表..09月12日
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