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燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導(dǎo)率提升5倍，國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的選擇.
芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是焊接，燒結(jié)連接熔點(diǎn)更高，這意味著在給定溫度擺幅下連接的老化率將低得多，功率模塊的熱循環(huán)能力可增加5倍。
連接溫度和輔助壓力均有明顯下降，擴(kuò)大了工藝的使用范圍。在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，
