燒結銀技術的優勢與特點
1.什么是燒結銀技術
20世紀80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫燒結技術，即通過銀燒結銀顆粒AS9385實現功率半導體器件與基板的互連方法。

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①燒結連接層成分為銀，具有的導電和導熱性能；②由于銀的熔點高達（961℃），將不會產生熔點小于300℃的軟釬焊連接層中出現的典型疲勞效應，具有的可靠性；

③AS9385所用納米銀材料具有和傳統軟釬焊料相近的燒結溫度；④燒結材料不含鉛，屬于環境友好型材料，并且避免清洗的過程，節省了時間，降低了成本。

相對于焊料合金，銀燒結技術可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環境溫度及使用壽命。目前，AS9385銀燒結技術已受到高溫功率電子領域的廣泛關注，它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半導體功率模塊的芯片互連界面材料。

芯片轉印是指將芯片在銀膜上壓一下，利用芯片銳利的邊緣，在銀膜上切出一個相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。