傳統釬焊料熔點低、導熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應用要求。此外隨著第三代半導體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發展，對封裝的性能方面提出了更為嚴苛的要求。AS9385有壓銀燒結技術是一種新型的高可靠性連接技術，在功率模塊封裝中的應用受到越來越多的關注。
有壓銀燒結AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵合技術，可確保無空隙和高強度鍵合，并具有的導熱性和導電性。 該技術可以將器件的結溫 (Tj) 低降至150℃。
在這種燒結過程中，在適當的壓力、溫度和時間條件下，經過持續加熱，有壓燒結銀AS9385由粉末形態變為固體結構。與傳統焊接材料相比，這種技術產生的燒結鍵更可靠，能夠提高器件的性能和壽命。
SHAREX的AS9385銀燒結技術也被成為低溫連接技術（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無鉛化芯片互連技術，AS9385燒結銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和高導熱率（~240 W/m·K）的燒結銀芯片連接界面，具有以下幾方面優勢：
①燒結連接層成分為銀，具有的導電和導熱性能；②由于銀的熔點高達（961℃），將不會產生熔點小于300℃的軟釬焊連接層中出現的典型疲勞效應，具有的可靠性；
芯片轉印是指將芯片在銀膜上壓一下，利用芯片銳利的邊緣，在銀膜上切出一個相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。
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