燒結銀技術的優勢與特點
1.什么是燒結銀技術
20世紀80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫燒結技術，即通過銀燒結銀顆粒AS9385實現功率半導體器件與基板的互連方法。

SHAREX的AS9385銀燒結技術也被成為低溫連接技術（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無鉛化芯片互連技術，AS9385燒結銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和高導熱率（~240 W/m·K）的燒結銀芯片連接界面，具有以下幾方面優勢：

2.銀燒結技術原理
AS9385銀燒結技術是一種對微米級及以下的銀顆粒在250℃以下進行燒結，通過原子間的擴散從而實現良好連接的技術。所用的燒結材料的基本成分是銀顆粒，根據狀態不同，燒結材料一般為燒結銀膏工藝為：AS9385燒結銀膏印刷印刷——預熱烘烤——芯片貼片——加壓燒結；

芯片轉印是指將芯片在銀膜上壓一下，利用芯片銳利的邊緣，在銀膜上切出一個相同面積的銀膜并粘連到芯片背面。

以AS9385有壓燒結銀膏為例，在燒結過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結頸，銀原子通過擴散遷移到燒結頸區域，從而燒結頸不斷長大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續的孔隙網絡，隨著燒結過程的進行，孔洞逐漸變小，燒結密度和強度顯著增加，在燒結后階段，多數孔洞被完全分割，小孔洞逐漸消失，大空洞逐漸變小，直到達到終的致密度。

燒結得到的連接層為多孔性結構，孔洞尺寸在微米及亞微米級別，連接層具有良好的導熱和導電性能，熱匹配性能良好。