AS9330半燒結銀的 導熱系數范圍80W/mK-100W/ mK，在銀、銅和鎳鈀金引線框架的封裝內電阻更低的熱阻（Rth）- 0.4K/W。
半燒結銀AS9330可以粘結金、銀、銅、鎳鈀金、引線框架等多種材質，適用∩寬泛的芯片粘結尺寸：從1*1mm2至8*8mm2（Die Size）不等。當然，燒結溫度隨著芯片尺寸的大小要做適當的調整。
半燒結銀AS9330和普通銀材料相比有更全面的導熱和可操作性能 ，AS9330使用制程簡便，與普通導電銀膠工藝相似。
AS9330結合了性能、可靠性和可加工性。對于那些希望找到焊料的無鉛替代品（無需昂貴或復雜的加工，又能確保與傳統材料同等或更優的性能）的封裝而言，AS9330燒結銀可以全面滿足他們的需求，同樣也為實現第三代半導體功率的電子互聯提供很好解決方案。
將芯片放到涂有半燒結銀AS9330的界面上時，建議加一點壓力到上界面壓一下； 燒結時需逐步階梯升溫到一定的溫度，比如3分鐘升高5度等
通過以上步驟，可以降低芯片封裝納米燒結銀的燒結溫度、減少燒結裂紋、降低燒結空洞率、提高燒結體的致密性和熱導率。
