而燒結技術通過高溫使AS9330表面原子互相擴散，從而形成致密結構的過程，也稱之為“低溫燒結技術”。加入納米銀粒子的低溫燒結技術大大提升了導熱及導電性能，可滿足對于第三代半導體高功率器件的電子互聯應用。
AS9330半燒結銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫燒結并且粘接力穩定。剪切強度高達45MPA。
半燒結銀AS9330粘結尺寸過大時，建議一個界面開導氣槽； 一個界面涂布燒結銀AS9330時，涂布的要均勻
將芯片放到涂有半燒結銀AS9330的界面上時，建議加一點壓力到上界面壓一下； 燒結時需逐步階梯升溫到一定的溫度，比如3分鐘升高5度等
半燒結銀AS9330 燒結結束時，建議在烘箱中逐步降溫到室溫再把器件拿出；燒結銀燒結時，要主要燒結溫度，燒結時間，燒結壓力”鐵三角“的調整問題。
通過以上步驟，可以降低芯片封裝納米燒結銀的燒結溫度、減少燒結裂紋、降低燒結空洞率、提高燒結體的致密性和熱導率。
