美國光刻膠紫外光刻膠NR77-1500PY半導體制造

廈門光刻膠 美國光刻膠NR77-1500PY是一種?紫外負性光刻膠?，通過紫外曝光引發交聯反應，曝光區域在顯影中保留，形成高深寬比圖形。其核心特性包括：?厚度范圍?：1.1μm-3.1μm，適配不同工藝需求。?耐溫性?：可耐受180℃高溫，確保后續工藝穩定性。?底切控制?：

2025年08月31日 14:54:53

美國光刻膠PMGISF系列光刻膠深層固化避光

廈門光刻膠 美國光刻膠PMGI SF系列光刻膠為?紫外負性剝離光刻膠?，具有高深寬比特性，光刻后可形成陡直度高的結構（基本垂直于襯底表面），適用于半導體制造中的精密圖形化工藝。其有效成分含量達99%，兼具耐高溫和防靜電功能?工藝適配性?：該系列光刻膠需配

2025年08月31日 14:49:00

美國光刻膠AZ40XT紫外光刻膠白色

廈門光刻膠 美國光刻膠厚度范圍?：專為15-30μm厚膜設計，通過化學放大作用實現?低曝光劑量?（顯著低于傳統厚膠）和?快速顯影?（顯影時間縮短50%以上）?深寬比與陡直度?：光刻后形成?高深寬比結構?，側壁接近垂直（角度偏差≤5°），適用于精密微納加工?工藝簡化

2025年08月31日 14:32:21

美國光刻膠DOWPDMS耐高溫硅膠電阻模組灌封流動性好無需加溫

廈門光刻膠 美國光刻膠PDMS硅膠廣泛用于高壓電阻器組件、繼電器、變壓器等電子元器件的灌封，提供絕緣、防潮及抗震保護?介電性能?：體積電阻率≥1.4×101?Ω·cm，介電強度≥18KV/mm?機械性能?：邵氏硬度10±5，抗張強度≥0.8MPa，斷裂伸長率≥80%?阻燃性?：部分產品

2025年08月31日 14:27:58

美國光刻膠電子束光刻膠495PMMA納米級結構

廈門光刻膠 美國光刻膠推薦使用MIBK混合溶液，顯影時間通常為20-60秒?后烘條件?：建議90-120℃熱板烘烤1-2分鐘，需低于光刻膠熔點（約130-150℃）以避免結構坍塌?存儲要求?：避光保存，溫度控制在10-27℃，保質期一般為6個月納米級科研器件開發（如量子芯片、高

2025年08月31日 14:15:17

美國光刻膠SU-8Developer顯影液沖洗液質量優

廈門光刻膠 美國光刻膠顯影時間需根據膠層厚度調整，推薦強烈攪拌3分鐘顯影后需用新鮮溶液沖洗10秒，再用（IPA）噴洗10秒適配SU-8光刻膠的垂直側壁和高深寬比圖形?顯影液pH值11.2，定影液pH值4.8灰霧度≤0.3，均勻斜率≥2.0，感光度≥35.0，大密度≥3.0?適用場景?

2025年08月31日 11:26:15