快恢復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.
快恢復二極管芯片PN結構終止區用采用玻璃鈍化技術，其熱膨脹系數與硅的熱膨脹系數相匹配。所有的硅芯片越來越多的使用保護環平面技術和溝道阻斷來降低芯片的表面電場。
快恢復二極管(Fast Recovery Diode,簡稱FRD)是一種具有快速反向恢復時間的二極管。它在電源電路和高速開關電路中應用廣泛，可以提高整流效率、降低電源噪聲、減少開關損耗，提高電路的可靠性和穩定性。
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