GaN屬III-V族氮化物材料，是一種極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料（熔點約為1700℃）。通常條件下，GaN以六方對稱性纖鋅礦2H結構存在, 它在一個元胞中有4個原子，原子體積大約為GaAs的一半。但在一定條件下也能以立方對稱性的閃鋅礦3C結構存在。從晶體學上講，兩種結構的主要區別在于沿(111)晶向原子 a =0.3189n c = 0.5185nm；立方GaN的晶格常數公認的數值為 0.452nm 左右。Ga溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解。
讓GaN在終端設備領域顯得特別有前途的是5G無線電和電源技術以及超快速充電配件。在超快速充電配件中，明顯的表現是，與傳統的硅部件相比，GaN在較小的面積內具有更好的熱效率和功率效率。
氮化鎵GaN材料的研究與應用是當前全球半導體研究的和熱點。它是一種用于開發微電子器件和光電子器件的新型半導體材料。繼代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的導熱率、良好的化學穩定性（幾乎不被任何酸腐蝕）和強的抗輻射性能。應用于光電子、高溫大功率器件以及高頻微波器件中的應用具有廣闊的前景。
