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供應商	廣東佳訊電子有限責任公司店鋪
認證
報價	面議
關鍵詞	MOSFET二極管
所在地	廣東省東莞市萬江街道油新大路8號139室

產品詳細介紹

MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影響。當電感負載與MOSFET漏極接通時,電能立即存儲在負載內部，并且在下一個瞬間隨著關閉,該存儲的EMF從MOSFET源極到漏極,從而導致MOSFET性損壞。在器件的漏源極間存在一個內部二極管，通過允許反電動勢尖峰穿過二極管來阻止MOSFET被損壞，保護MOSFET。

功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。

功率MOSFET的內部結構和電氣符號如圖1所示；其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率mos管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。功率MOSFET為多元集成結構，如國際整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六邊形單元；西門子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形單元按“品”字形排列。

功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下，因dv/dt通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動，有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態性能時對功率MOSFET器件內部的各個電容（它是dv/dt的通道）都予以注意。瞬態情況是和線路情況密切相關的，這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相應的問題。

FET用作具有兩個觸點的導電半導體通道-“源極”和漏極。 GATE結可以被理解為作為MOS結構的2端子電路，該MOS結構用作整流反向偏置模式。通常，在經典工作情況下，GATE阻抗較高。根據這些標準的FET通常是MOSFET，JFET，金屬半導體FET（MESFET）和異質結構FET。在這些FET中，MOSFET是重要的晶體管之一，通常用于各種應用。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。