SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不60V,高僅約100V,以致于限制了其應用范圍。像在開關電源(SMPS)和功率因數校正(PFC)電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復外延二極管(FRED)和超快速恢復二極管(UFRD)。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上,根本不能滿足像空間站等領域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS,由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大,殼溫很高,需用較大的散熱器,從而使SMPS體積和重量增加,不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此,發展100V以上的高壓SBD,一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年,SBD已取得了突破性的進展,150V和200V的高壓SBD已經上市,使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功,從而為其應用注入了新的生機與活力。
肖特基二極體大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓高只到50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大,實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題,肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術也已有了進步,其反向偏壓的額定值大可以到200V。
同普通硅二極管一樣,肖特基二極管也是具有單向導電特性的硅二極管。不同的是,普通二極管的工作是利用半導體PN 結的單向導電特性,而肖特基二極管則是利用金屬和半導體接觸產生的勢壘而起到單向導電作用,它是以多數載流子工作的整流器件,因而在開關時沒有少數載流子的存儲電荷和移動效應。所以,肖特基二極管的開關速度非常快,反向恢復時間trr很短 (小于幾十ns);同時,其正向壓降V F 較小,尤其適用于高速開關電路和低壓大電流輸出電路,具有較高的整流效率和可靠性。但肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓V R 較低,一般只有 100V 左右;二是反向漏電流IR 較大。
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