快恢復二極管芯片PN結構終止區用采用玻璃鈍化技術，其熱膨脹系數與硅的熱膨脹系數相匹配。所有的硅芯片越來越多的使用保護環平面技術和溝道阻斷來降低芯片的表面電場。
快恢復二極管(Fast Recovery Diode,簡稱FRD)是一種具有快速反向恢復時間的二極管。它在電源電路和高速開關電路中應用廣泛，可以提高整流效率、降低電源噪聲、減少開關損耗，提高電路的可靠性和穩定性。
隨著電子技術的不斷發展，人們對快恢復二極管的要求也越來越高。未來，快恢復二極管將具有以下發展趨勢(1)提高電流密度:提高快恢復二極管的電流密度，以適應更高功率的電源和開關應用。(2)降低反向漏電流:降低快恢復二極管的反向漏電流，提高其可靠性和穩定性。
(3)繼續提高開關速度:提高快恢復二極管的反向恢復時間和開關速度，以適應更高頻率的開關應用。
(4)提高耐輻照性能:提高快恢復二極管的耐輻照性能，以適應更嚴苛的環境要求。
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