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供應商	廣東佳訊電子有限責任公司店鋪
認證
報價	面議
關鍵詞	生產肖特基二極管,肖特基二極管現貨供應,盧灣肖特基二極管,供應肖特基二極管
所在地	廣東省東莞市萬江街道油新大路8號139室

產品詳細介紹

SBD的主要優點包括兩個方面：

1）由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約低0.2V）。

2）由于SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。

但是，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。

肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管，而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數的一致性。

SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD、TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

肖特基二極管，一種與傳統PN結二極管不同的電子元件，借助金屬和半導體之間的勢壘效應產生整流效果。在電子學中，這種接觸被稱為“金屬半導體結”，簡稱肖特基勢壘二極管，通常被稱為肖特基二極管。主要采用硅（Si）半導體材料制造，也有少量使用砷化鎵（GaAs）制作的。

肖特基二極管結構肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基整流管僅用一種載流子(電子)輸送電荷，在勢壘外側無過剩少數載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題(Qrr→0)，使開關特性獲得時顯改善。其反向恢復時間已能縮短到10ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流(或續流)電路的效率。
面結合型管采用平面工藝性能穩定,一致性好,不易損壞。圖中給出一種面結合型二極管的結構圖和等效電路。從中可以看出各部分的結構尺寸量級。通常這種管芯要進行封裝才能方便地使用。肖特基勢壘二極管的典型封裝結構可采用“炮彈”式、微帶式、SOT貼片式等。
對于低壓大電流的高頻整流，肖特基二極管是佳的選擇（這時由于其反向耐壓較低），常用的是作為±5V、±12V、±15V的整流輸出管。（如計算機電源的+5V輸出大多采用SR3040，+12V輸出采用SR1660）再加上肖特基二極管的正向壓降VF與結溫TJ呈現負溫度系數，所以用其制造的開關電源，溫升低，噪聲小，可靠性高。