DTS+TCB預燒結銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發展下,SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高,成為時下火爆的發展領域之一。
可實現高可靠、高導電的連接的需求,很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商,在汽車模組中均或多或少的采用該燒結銀DTS技術,
在成型技術也相當困難,由于電鍍銀是局部鍍銀,相較于全鍍,部分鍍銀技術很難,做模具,且放置芯片處用局部銀,一個導線架搭兩個芯片,芯片局部銀,其他引線框架用鎳鈀金,材料差異對引線框架制作是很大的技術挑戰。
單管封裝中引入擴散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片與lead frame之間的焊料,優化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例,基于GVF預燒結銀焊片,相比當前焊接版的TO247-3/4L,可降低約25%的穩態熱阻Rth(j-c),和約45%的瞬態熱阻。
目前,客戶存的大痛點是鍵合時良率低,善仁新材推出的DTS預燒結焊片優勢是:提高芯片的通流能力和功率循環能力,保護芯片以實現高良率的銅線鍵合。
GVF預燒結銀焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的使用方法為:Pick & Place;
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