新能源車的高速發展，帶動不斷增大的激光器和驅動芯片功率，對散熱提出了更高的挑戰。半燒結銀AS9330是連接半導體晶體管和元器件的關鍵材料，起到導電和導熱的作用，影響元器件電路導通、功能實現及穩定性。
而燒結技術通過高溫使AS9330表面原子互相擴散，從而形成致密結構的過程，也稱之為“低溫燒結技術”。加入納米銀粒子的低溫燒結技術大大提升了導熱及導電性能，可滿足對于第三代半導體高功率器件的電子互聯應用。
AS9330半燒結銀無需高溫高壓，可以在175度至200度溫度范圍下低溫燒結并且粘接力穩定。剪切強度高達45MPA。
半燒結銀AS9330的工藝流程如下：1 清潔芯片和被粘結的界面2 假設界面表面能太低，建議提高界面表面能.
將芯片放到涂有半燒結銀AS9330的界面上時，建議加一點壓力到上界面壓一下； 燒結時需逐步階梯升溫到一定的溫度，比如3分鐘升高5度等
AS9200系列燒結銀膠：包括9220燒結銀膠，9221燒結銀膠。 AS9100系列納米燒結銀漿：包括9101燒結銀漿，9120燒結銀漿，9150燒結銀漿。
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