目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用為廣泛的技術(shù)，美國(guó)、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。

與傳統(tǒng)的高溫?zé)o鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)連接層成分為銀，具有的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)961℃，將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有的可靠性，且其燒結(jié)溫度和傳統(tǒng)軟釬焊料溫度相當(dāng)。

相比焊接模塊，加壓燒結(jié)銀的銀燒結(jié)技術(shù)對(duì)模組結(jié)構(gòu)、使用壽命、散熱產(chǎn)生了重要影響，采用銀燒結(jié)技術(shù)可使模塊使用壽命提高5-10倍，

同時(shí)在此基礎(chǔ)上開發(fā)出雙面銀燒結(jié)技術(shù)，將銀帶燒結(jié)在芯片正面代替了鋁線，或取消底板將基板直接燒結(jié)在散熱器上，大大簡(jiǎn)化了模塊封裝的結(jié)構(gòu)。

芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是焊接，燒結(jié)連接熔點(diǎn)更高，這意味著在給定溫度擺幅下連接的老化率將低得多，功率模塊的熱循環(huán)能力可增加5倍。

善仁新材新推出的有壓燒結(jié)銀AS9385的剪切強(qiáng)度達(dá)到93.277MPa，剪切強(qiáng)度大大超過(guò)目前市面上主流的有壓燒結(jié)銀的剪切強(qiáng)度，大家可能對(duì)93.277MPa沒(méi)有概念，作為對(duì)比，目前市面上的德國(guó)某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為68MPa，美國(guó)某品牌的有壓燒結(jié)銀剪切強(qiáng)度為67MPa。