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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)/單晶爐是單晶體生長(zhǎng)設(shè)備。單晶體生長(zhǎng)要求在真空和惰性氣體中進(jìn)行。真空裝置應(yīng)能保爐體內(nèi)熱真空度達(dá)5×1024mm 柱以上。如果使用惰性氣體作保護(hù)氣氛，爐體上、下都設(shè)有進(jìn)出氣的氣口。生長(zhǎng)單晶體時(shí)，抽真空及真空裝置注入惰性氣體后都需配備除塵裝置。西安理工大學(xué)工廠生產(chǎn)的混合式除塵器較好地解決了這一問(wèn)題。本廠單晶爐系列：TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多種爐型近百臺(tái)產(chǎn)品都使用這種除塵器。實(shí)踐明，它的主要優(yōu)點(diǎn)是除塵，能適應(yīng)不同抽氣階段真空度的要求，容塵量大。其具體結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2、圖3。該除塵器綜合運(yùn)用離心力、慣性碰撞、接觸阻留、擴(kuò)散這幾種除塵機(jī)理。

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由于 該爐的排氣口 13與氣流導(dǎo)向裝置20的各通氣孔2-3相連通，整個(gè)爐內(nèi)的 一氧化硅與的混合氣體(包括坩堝支持器14下方的混合氣體)能通暢 地排出爐外，整個(gè)爐內(nèi)不存在排氣死角，既有效地防止了一氧化硅氣體對(duì) 加熱器7和坩堝支持器14等石墨器件的腐蝕，還可有效防止雜質(zhì)粉塵吸附 在這些石墨器件上，從而確保了該爐的使用壽命。氣流導(dǎo)向裝置20的一對(duì) 通氣孔2-3與該爐的一對(duì)排氣口 13相對(duì)設(shè)置，縮短了排氣管路的長(zhǎng)度，利 于提高排氣效率。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，整個(gè)爐內(nèi)的一氧化硅與的混合氣體(包 括坩堝支持器下方的混合氣體)能通暢地排出爐外，整個(gè)爐內(nèi)不存在排氣 不暢的地方，即不存在排氣死角，既有效地防止了一氧化硅氣體對(duì)加熱器 和坩堝支持器等石墨器件的腐蝕，還可使吸附在這些石墨器件上的雜質(zhì)粉 塵減少30%以上，從而確保了該爐的使用壽命，使所述石墨器件的使用壽 命從原來(lái)的90爐次提高11G爐次以上，另外還可對(duì)硅晶體的生長(zhǎng)過(guò)程起 到穩(wěn)定作用，使平均成品率從原來(lái)的65%提高68%以上，并可提高單晶 的內(nèi)在質(zhì)量。本發(fā)明的氣流導(dǎo)向裝置的一對(duì)通氣孔與該爐的 一對(duì)排氣口相 對(duì)設(shè)置，縮短了排氣管路，利于提高排氣效率。