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使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí)，再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個(gè)單晶拉制過程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。

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所述主爐室內(nèi)設(shè)置有主爐室坩堝，所述下驅(qū)動(dòng)裝置和主爐室坩堝相連，以便通過下驅(qū)動(dòng)裝置動(dòng)主爐室坩堝升降，所述副爐室和主爐室相連通，所述上驅(qū)動(dòng)裝置安裝在副爐室的上端，以便通過上驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)拉晶，它還包括：外部加料器，所述外部加料器內(nèi)設(shè)置有加料腔，所述加料腔內(nèi)設(shè)置有加料坩堝，所述外部加料器的蓋裝有上蓋；用于熔化硅料的外部化料器，所述外部化料器的和加料坩堝相連通，所述外部化料器的底端和主爐室坩堝相連通，以便將硅料加加料坩堝后，硅料漏外部化料器后被外部化料器熔化，被熔化后的硅料流主爐室坩堝內(nèi)。進(jìn)一步提供了外部化料器的具體結(jié)構(gòu)，所述外部化料器包括裝料器、化料器坩堝和用于給化料器坩堝加熱以便硅料熔化的熱場，所述裝料器和加料坩堝相連通，所述化料器坩堝和裝料器相連通，所述熱場套裝在化料器坩堝的外側(cè)，便硅料依次進(jìn)入加料坩堝、裝料器和化料器坩堝，并在化料器坩堝內(nèi)經(jīng)熱場熔化后又進(jìn)入主爐室坩堝。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與分析1　引　言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,其中用量和用途廣泛的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95%以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路 ,生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長開始時(shí) ,用提拉的辦法制成的。在單晶硅生產(chǎn)過程中 ,對晶體的提拉速度有十分嚴(yán)格的要求 ,從某種程度上講提拉速度的控制好壞將直接影響到晶體的質(zhì)量。對單晶硅生產(chǎn)過程中的提拉速度控制系統(tǒng)進(jìn)行研究有實(shí)際意義。圖 1示出了單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)在單晶硅生產(chǎn)中的作用。提拉桿的運(yùn)動(dòng)是靠驅(qū)動(dòng)電機(jī)通過減速器 ,再由齒輪齒條機(jī)構(gòu)帶動(dòng)的。在單晶爐中 ,要求提拉單晶硅的提拉桿不僅能以某一期望線速度 V向上 (下 )運(yùn)動(dòng) ,而且當(dāng)提拉負(fù)載增大引起線速度為零時(shí) ,提拉桿能保持其后位置而不上下滑動(dòng)。在實(shí)際單晶爐中 ,對提拉控制系統(tǒng)提出的主要技術(shù)指標(biāo)是 ,提拉速度在 0 .2～ 1 0 .0 mm/h范圍之內(nèi)實(shí)現(xiàn)無級(jí)可調(diào) ,線性精度大于± 2 %