單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。
購買技術主要要求
1.單晶爐裝料量（單臺機產能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度） 5設備制造工藝控制 6自動化控制程度 7設備主要關鍵部件的配置等 。
單晶爐型號定義
單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的
類單晶硅制備一般采用常規多晶硅鑄錠爐，鑄錠時在石英坩堝底部鋪一層籽晶，誘導晶體定向結晶，長出晶向一致的大晶粒硅錠。但是當前常用的類單晶鑄錠爐具有以下缺點I)傳統加熱裝置采用單電源系統控制頂、側加熱器，輸出功率同步，無法調節頂、側加熱器的功率配比，使熱場分布難以控制，以致長晶階段側面熱量輸入較多，生長界面中心明顯，無法獲得理想的固液界面和較優化的晶體生長條件；2)
傳統熱場設計只能提升隔熱籠體通過熱交換臺被動散熱，使硅料熔化后期石英坩堝底部和側面散熱速率相差較大，無法籽晶熔化一致，獲得較好的籽晶熔化條件。3)傳統裝置采用隔熱籠提升技術輻射散熱，造成長晶階段坩堝側面熱量散失較多，靠近側壁的熔體過冷度較大，極易在坩堝側壁形成大量晶核，致使硅錠四周出現大面積多晶成分。
