在當(dāng)今電子器件、組件的工藝制程中，為獲得高可靠性的產(chǎn)品，清洗，特別是水基清洗在制程中得到越來越廣泛的應(yīng)用。特別是在5G通訊，航天航空，汽車電子，軍工，醫(yī)療設(shè)備，人工智能等等行業(yè)和產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品中，高可靠性的要求是為了整個功能體系能安全可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。水基清洗在這類器件、組件的制程中具有的代表性，特別在大型規(guī)模化生產(chǎn)中，可有效保障更為可靠的工藝指標(biāo)和穩(wěn)定性。通常會采用在線通過式清洗工藝來實(shí)現(xiàn)器件和組件的批量生產(chǎn)制程，隨著在線工藝的廣泛應(yīng)用，其中的工藝要點(diǎn)和掌握是能出產(chǎn)產(chǎn)品質(zhì)量的重要因素。以下就這些要點(diǎn)作幾點(diǎn)闡述。

器件和組件，比如POP、SIP、IG BT、PCBA，清洗主要是為了去除在焊接中所產(chǎn)生的焊劑或焊膏的殘余物、污垢。要針對焊接所用的焊膏和錫膏的可清洗性進(jìn)行水基清洗劑的選型和匹配，在常規(guī)工藝條件或者特定工藝條件下面進(jìn)行測試，水基清洗劑能夠?qū)⒑竸┖秃父鄽堄辔锬軌蚯宄_(dá)到干凈度的要求。

比如說在器件底部，包括Chip件、QFN底部，芯片或者是倒裝芯片底部殘留物的去除狀況。往往當(dāng)這些底部的殘余物能夠有效去除，那么其他部位的殘余物也應(yīng)可以評判為完全去除。QFM和芯片底部采用機(jī)械方式打開，觀測底部殘留物的狀況來評判干凈度，為了達(dá)到Micro gap的托高底部的殘留物清除，清洗劑物理化學(xué)特性（比方說表面張力）和清洗設(shè)備噴淋的角度、壓力、方向以及噴淋的時間溫度都對底部清除污垢有很大的影響度。

往往用戶會把清洗劑的濃度和壽命混為一談，這兩項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)分屬不同的技術(shù)內(nèi)容。壽命影響因素有清洗劑的選型、污垢的成分和在被清洗物上污垢的含量、設(shè)置的清洗溫度和設(shè)備的損耗狀況等等因素有關(guān)，所以說無法用一個簡單固定的方式來評判清洗劑的壽命，需要在生產(chǎn)實(shí)際中累計(jì)數(shù)據(jù)，從而界定清洗劑的壽命。

系統(tǒng)級封裝SiP技術(shù)


SiP是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的的一種新型封裝技術(shù)，將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢。SiP是為整機(jī)系統(tǒng)小型化的需要，提高半導(dǎo)體功能和密度而發(fā)展起來的。SiP使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類無源元件如電阻、電容、電感等集成到一個封裝體內(nèi)。


自從1960年代以來，集成電路的封裝形式經(jīng)歷了從雙列直插、四周扁平封裝、焊球陣列封裝和圓片級封裝、芯片尺寸封裝等階段。而小型化、輕量化、、多功能、高可靠性和低成本的電子產(chǎn)品的總體發(fā)展趨勢使得單一芯片上的晶體管數(shù)目不再是面臨的主要挑戰(zhàn)，而是要發(fā)展更的封裝及時來滿足產(chǎn)品輕、薄、短、小以及與系統(tǒng)整合的需求，這也使得在立的系統(tǒng)（芯片或者模塊）內(nèi)充分實(shí)現(xiàn)芯片的功能成為需要克服的障礙。這樣的背景是SiP逐漸成為近年來集成電路研發(fā)機(jī)構(gòu)和半導(dǎo)體廠商的研究對象。SiP作為一種全新的集成方法和封裝技術(shù)，具有一系列特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景。
功率半導(dǎo)體：電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心
功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體是一 種廣泛用于電力電子裝置和電能轉(zhuǎn)換和控制電路的半導(dǎo)體元件，可通過半 導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能。
功率半導(dǎo)體具有能夠支持高電壓、大電流的特性，主要用途包括變 頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。除保障電路正常運(yùn)行外，因其 能夠減少電能浪費(fèi)，功率半導(dǎo)體還能起到節(jié)能、省電的作用。
功率半導(dǎo)體=功率器件+功率 IC
功率半導(dǎo)體按器件集成度可以分為功率分立器件和功率 IC 兩大類。功率分立器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類，其中晶體管市場 規(guī)模大，常見的晶體管主要包括 IGBT、MOSFET、BJT（雙極結(jié)型晶體 管）。
功率 IC 是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及保護(hù)電 路等集成在同一芯片的集成電路，是系統(tǒng)信號處理部分和執(zhí)行部分的橋 梁。
IGBT：電力電子行業(yè)的“CPU”
兼具 MOSFET 及 BJT 兩類器件優(yōu)勢，IGBT 被稱為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT 全稱絕緣柵雙極晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
IGBT 具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于 MOSFET 和雙極晶體管具有較強(qiáng)的 正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降，因此兼具有 MOSFET 的高輸入阻抗 MOSFET 器件驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、BJT 器件飽和壓降低、電流密度 高和 GTR 的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
IGBT發(fā)展史：歷經(jīng)七代技術(shù)演進(jìn)，產(chǎn)品性能逐代提升


歷時超 30 年，IGBT 已經(jīng)發(fā)展至第七代，各方面性能不斷優(yōu)化。目前 為止，IGBT 芯片經(jīng)歷了七代升級：襯底從 PT 穿通，NPT 非穿通到 FS 場 截止，柵極從平面到 Trench 溝槽，后到第七代的精細(xì) Trench 溝槽。


隨著技術(shù)的升級，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)功耗、關(guān)斷時間、開關(guān) 功耗均不斷減小，斷態(tài)電壓由代的600V升至第七代7000V。