合明科技攝像模組感光芯片CMOS晶片鏡片清洗劑，LED芯片焊后助焊劑錫膏清洗劑、CMOS焊接后清洗劑、FPC電路板清洗劑、SMT元器件封裝工藝清洗劑、微波組件助焊劑松香清洗劑、車用IGBT芯片封裝水基清洗方案，SMT電子制程水基清洗全工藝解決方案,汽車用 IGBT芯片封裝焊后清洗劑,IGBT芯片清洗劑,IGBT模塊焊后錫膏清洗劑,IGBT功率半導(dǎo)體模塊清洗,SMT錫膏回流焊后清洗劑,PCBA焊后水基清洗劑，系統(tǒng)封裝CQFP器件焊后助焊劑清洗劑、SIP芯片焊后清洗劑、BMS電路板焊后清洗劑，半導(dǎo)體分立器件除助焊劑清洗液、半水基清洗劑、IGBT功率模塊焊后錫膏水基清洗劑、PCB組件封裝焊后水性環(huán)保清洗劑、SMT封裝焊后清洗劑、精密電子清洗劑、半導(dǎo)體分立器件清洗劑、SMT焊接助焊劑清洗劑、錫嘴氧化物清洗劑、PCBA清洗劑、芯片封裝焊后清洗劑、水性清洗劑、FPC清洗劑、BGA植球后清洗劑、球焊膏清洗劑、FPC電路板水基清洗劑、堆疊組裝POP芯片清洗劑、油墨絲印網(wǎng)板水基清洗全工藝解決方案、BMS新能源汽車電池管理系統(tǒng)電路板制程工藝水基清洗解決方案、儲(chǔ)能BMS電路板水基清洗劑、PCBA焊后助焊劑清洗劑、組件和基板除助焊劑中性水基清洗劑、功率電子除助焊劑水基清洗劑、功率模塊/DCB、引線框架和分立器件除助焊劑水基清洗劑、封裝及晶圓清洗水基清洗劑、倒裝芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封裝焊后清洗劑、SMT鋼網(wǎng)、絲網(wǎng)和誤印板清洗除錫膏、銀漿、紅膠，SMT印刷機(jī)網(wǎng)板底部擦拭水基清洗劑、焊接夾治具、回流焊冷凝器、過(guò)濾網(wǎng)、工具清洗除被焙烤后助焊劑和重油污垢清洗劑，電子組件制程水基清洗全工藝解決方案。

在當(dāng)今電子器件、組件的工藝制程中，為獲得高可靠性的產(chǎn)品，清洗，特別是水基清洗在制程中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。特別是在5G通訊，航天航空，汽車電子，軍工，醫(yī)療設(shè)備，人工智能等等行業(yè)和產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品中，高可靠性的要求是為了整個(gè)功能體系能安全可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。水基清洗在這類器件、組件的制程中具有的代表性，特別在大型規(guī)模化生產(chǎn)中，可有效保障更為可靠的工藝指標(biāo)和穩(wěn)定性。通常會(huì)采用在線通過(guò)式清洗工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)器件和組件的批量生產(chǎn)制程，隨著在線工藝的廣泛應(yīng)用，其中的工藝要點(diǎn)和掌握是能出產(chǎn)產(chǎn)品質(zhì)量的重要因素。以下就這些要點(diǎn)作幾點(diǎn)闡述。

器件和組件，比如POP、SIP、IG BT、PCBA，清洗主要是為了去除在焊接中所產(chǎn)生的焊劑或焊膏的殘余物、污垢。要針對(duì)焊接所用的焊膏和錫膏的可清洗性進(jìn)行水基清洗劑的選型和匹配，在常規(guī)工藝條件或者特定工藝條件下面進(jìn)行測(cè)試，水基清洗劑能夠?qū)⒑竸┖秃父鄽堄辔锬軌蚯宄_(dá)到干凈度的要求。

比如說(shuō)在器件底部，包括Chip件、QFN底部，芯片或者是倒裝芯片底部殘留物的去除狀況。往往當(dāng)這些底部的殘余物能夠有效去除，那么其他部位的殘余物也應(yīng)可以評(píng)判為完全去除。QFM和芯片底部采用機(jī)械方式打開(kāi)，觀測(cè)底部殘留物的狀況來(lái)評(píng)判干凈度，為了達(dá)到Micro gap的托高底部的殘留物清除，清洗劑物理化學(xué)特性（比方說(shuō)表面張力）和清洗設(shè)備噴淋的角度、壓力、方向以及噴淋的時(shí)間溫度都對(duì)底部清除污垢有很大的影響度。

系統(tǒng)級(jí)封裝（system in package，SIP）是一種新型的封裝技術(shù)，在IC封裝領(lǐng)域，SIP是的封裝。在ITRS2005中對(duì)SIP的定義是：“SIP是采用任何組合，將多個(gè)具有不同功能的有源電子器件與可選擇的無(wú)源元件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件，組裝成為可以提供多種功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)”。對(duì)于SIP而言，在單一的模塊內(nèi)需要集成不同的有源芯片和無(wú)源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光電芯片等，更長(zhǎng)遠(yuǎn)的目標(biāo)則考慮在其中集成生物芯片等。目前在無(wú)線通訊領(lǐng)域內(nèi)特別是在3G領(lǐng)域內(nèi)，SIP是非常有潛力的技術(shù)。
在2DSiP結(jié)構(gòu)中，芯片并排水平貼裝在基板上的，貼裝不受芯片尺寸大小的限制,工藝相對(duì)簡(jiǎn)單和成熟，但其封裝面積相應(yīng)地比較大，封裝效率比較低。3DSiP可實(shí)現(xiàn)較高的封裝效率，能大限度地發(fā)揮SiP的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的為有效的技術(shù)途徑，實(shí)際上涉及多種的封裝技術(shù)，包括封裝堆疊（PoP）、芯片堆疊（CoC）、硅通孔（TSV）、埋入式基板（Embedded Substrate）等，也涉及引線鍵合、倒裝芯片、微凸點(diǎn)等其他封裝工藝。3DSiP的基本概念正是將可能實(shí)現(xiàn)的多種功能集成于一個(gè)系統(tǒng)中，包括微處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、電源轉(zhuǎn)化模塊、光電器件等，還可能將散熱通道等部件也集成在封裝中，大程度的體現(xiàn)SiP的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。


系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)可以解決目前我們遇到的很多問(wèn)題，其優(yōu)勢(shì)也是越來(lái)越明顯，如產(chǎn)品設(shè)計(jì)的小型化、功能豐富化、產(chǎn)品可靠性等，產(chǎn)品制造也越來(lái)越，尤為重要的是，提高了生產(chǎn)效率，并大幅降低了生產(chǎn)成本。當(dāng)然，難點(diǎn)也是存在的，系統(tǒng)級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)，需要各節(jié)點(diǎn)所有技術(shù)，而不是某一技術(shù)所能實(shí)現(xiàn)的，這對(duì)封裝企業(yè)來(lái)說(shuō)，就需要有足夠的封裝技術(shù)積累及可靠的封裝平臺(tái)支撐，如高密度模組技術(shù)、晶圓級(jí)封裝技術(shù)等。