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碳化硅肖特基模塊MB300U02FJ MB40DU12FJ MB200K01F3 碳化硅肖特基模塊MB400K01F4N MB400K02F4 MB400K02F4N MB400K01F3 MB400K01F4 MB400K02F3 歡迎來(lái)到泉州晶利康電子科技有限公司 泉州晶..09月08日 -
0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PD功率：250mW VRM電壓 ：40V IO電流：1A VF大正向電壓 ：0.9v Test Condition IF(A)電流 ：3A IR大峰值反向電流 ：1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..09月08日
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65.00元可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊，是一種..12月09日
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65.00元可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊。早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊，是一種..12月01日
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壓降小,恢復(fù)時(shí)間快,ON安森美外觀, 高純紫銅材質(zhì),電壓一致性高,芯片電流大, 美國(guó)工藝技術(shù),散熱溫升低, 適用于高頻電源、高頻電路 一站式采購(gòu)服務(wù) 安裝方便、省電、可靠性強(qiáng) 、安全性能高12月27日
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24小時(shí)售后服務(wù)每一位顧客咨詢及疑問(wèn)，隨叫隨到12月27日
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浙江昆二晶整流器有限公司簡(jiǎn)稱:昆二晶整流器，位于中國(guó)電器之都-柳市，工廠占地面積5000平方，建筑面積10000平方，是一家專注電力半導(dǎo)體的生產(chǎn)創(chuàng)新型廠家，在27年的發(fā)展征程中，昆二晶勵(lì)12月27日
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產(chǎn)品類型 肖特基管 品牌 昆二晶 型號(hào) MURP20040CT 材料 硅(Si) 電壓，Vz 400A100V 封裝 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝 工作溫度范圍 -55～150（℃） 是否進(jìn)口 否12月27日
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SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..09月09日
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SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..09月09日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載..09月09日
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肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大..09月09日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月09日
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肖特基二極管作為一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，在PCB電路設(shè)計(jì)與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過(guò)深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景，我們可以更好地利用這一器件，提高電路性能..09月09日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月09日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月09日
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SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月09日
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SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)..09月09日
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肖特基二極管封裝肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。1、引線式封裝這種肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（..09月09日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月09日
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