進口肖特基二極管信息我要推廣到這里
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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡介 PD功率：250mW VRM電壓 ：40V IO電流：1A VF大正向電壓 ：0.9v Test Condition IF(A)電流 ：3A IR大峰值反向電流 ：1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..09月08日 -
深圳市恒耀達(dá)電子專業(yè)供應(yīng)原裝正品ST TI ON FSC NXP AT IR MAXIM OMRON等元器件，支持一站式配單，可開17點發(fā)票。 ON長期現(xiàn)貨： LM324DR2G MUR1100E MUR120RLG LM258D-2.5 MJE15033G BS107A..01月15日
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專業(yè)供應(yīng)ST TI FSC NXP ON等元器件，支持BOM配單，可開16點票。 長期有穩(wěn)定的海外訂貨渠道，可為客戶尋找冷門 軍用 停產(chǎn)等電子料，聯(lián)系電話：0755-83598180 15811822020 鄭小姐01月15日
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制造商: ON Semiconductor 產(chǎn)品種類: 肖特基二極管與整流器 RoHS: 詳細(xì)信息 商標(biāo): ON Semiconductor 產(chǎn)品: Schottky Diodes 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOD-123 If..01月15日
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6.00元星際金華實業(yè)有限公司進口原裝出售STPSC6H065DI肖特基二極管 量大價優(yōu) 價格實惠 質(zhì)量有保證 深圳市星際金華供應(yīng)STPSC6H065DI肖特基二極管 實單可議價 歡迎廣大商友致電聯(lián)系 ..11月13日
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MBR20200CT 肖特基二極管， ASEMI 品牌進口 MBR20200CT 型號： MBR20200CT 品牌： ASEMI 封裝： TO-220 特性：肖特基二極管 ★電性參數(shù)： 20A ， 200V ★..02月27日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月11日
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肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大..09月11日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月11日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載..09月11日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月11日
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肖特基二極管作為一種獨特的半導(dǎo)體器件，在PCB電路設(shè)計與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢和應(yīng)用場景，我們可以更好地利用這一器件，提高電路性能..09月11日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月11日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月11日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月11日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月11日
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肖特基二極管封裝肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。1、引線式封裝這種肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（..09月11日
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肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月11日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月11日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月11日
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