現有晶圓片生產過程中,需要從一道生產工序轉移到下一道生產上,現有技術中依靠人力進行傳送,傳送過程的耗費人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動晶圓傳片器以解決以上問題。

晶圓經過前道工席后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復雜。

晶圓切割時，經常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和對準運算的設備。當用窄跡道切割晶圓時，應選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結果，其壽命期望和工藝穩定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應該是20~30um。

切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產率要求認真的刀片選擇和的工藝控制能力。
藍膜由于受其溫度影響乃粘性度會發生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進行后封裝工藝，而非直接進行倒封裝工藝做Inlay時，可以考慮使用藍膜。
UV膜與藍膜相比，它的粘性剝離度可變性使得其性很大，主要作用為:用于wafer減薄過程中對wafer進行固定;water劃切過程中，用于保護芯片，防止其脫落或崩邊，用于wafer的翻轉和運輸，防止已經劃好的芯片發生脫落。規范化使用UV膜和藍膜的各個參數，根據芯片所需要的加工工藝，選擇合適的UV膜或者藍膜，即可以節省成本，又可以加進芯片產業化發展。