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美國光刻膠半導(dǎo)體級去離子水

更新時(shí)間:2025-09-12 [舉報(bào)]

廈門光刻膠   美國光刻膠


    • 電阻率需達(dá)到18.2 MΩ·cm(25℃),接近理論極限值,TOC(總有機(jī)碳)含量通常要求<5ppb?

    • 電導(dǎo)率低于0.07μs/cm,遠(yuǎn)工業(yè)級(0.1-0.9μs/cm)和食品級(1-10μs/cm)標(biāo)準(zhǔn)?

  1. ?

    • 主流技術(shù)為反滲透(RO)-電去離子(EDI)聯(lián)用,結(jié)合紫外氧化和超濾,可去除99.99%以上離子及微生物?

    • 離子交換樹脂法成本較低(20-30元/噸),但需頻繁再生;RO-EDI聯(lián)用技術(shù)雖成本高(35-45元/噸),但產(chǎn)水穩(wěn)定性更優(yōu)?

  2. ?

    • 用于晶圓清洗、蝕刻、光刻等步驟,占半導(dǎo)體總用水量的70%以上?

    • 在14nm以下制程中,水質(zhì)直接影響芯片良率,金屬離子濃度需控制在ppt(萬億分之一)級別??

    • 長三角地區(qū)因產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng),批量采購價(jià)可低至12-18元/噸;西北地區(qū)因運(yùn)輸成本可能溢價(jià)20%-30%?

    • 微量有機(jī)物(TOC<5ppb)特殊規(guī)格產(chǎn)品價(jià)格可達(dá)80-120元/噸?



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