當超大規模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(K-26),又能夠兼容與傳統的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品
制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強的實用價值,已引起人們的密切關注。
但鉭在熱的中能被腐蝕,在150℃以下,鉭不會被腐蝕,只有在此溫度才會有反應,在175度的中1年,被腐蝕的厚度為0.0004毫米,將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年,表層僅損傷0.006毫米
驗,鉭在常溫下,對堿溶液、、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用,僅在氫氟酸和熱作用下有所反應。這樣的情況在金屬中是比較的。
冶煉方法:鉭鈮礦中常伴有多種金屬,鉭冶煉的主要步驟是分解精礦,凈化和分離鉭、鈮,以制取鉭、鈮的純化合物,后制取金屬。
中國鉭工業始于20世紀60年代 。中國初期鉭冶煉、加工生產規模、技術水平、產品檔次和質量狀況與發達國家比較相差甚遠。自90年代,特別是1995年以來,中國鉭生產應用呈現出快速發展的態勢,如今,中國鉭工業已實現了“從小到大、從軍到民、從內到外”的轉變,形成了世界的從采礦、冶煉、加工到應用的工業體系,高、中、低端產品的進入了國際市場,中國成為世界鉭冶煉加工第三強國,進入世界鉭工業大國的行列
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