新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應用于電動車逆變器SiC導線架技術為例，導線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結銀AS9385連接技術，
在成型技術也相當困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個導線架搭兩個芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架制作是很大的技術挑戰。
單管封裝中引入擴散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片與lead frame之間的焊料，優化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例，基于GVF預燒結銀焊片，相比當前焊接版的TO247-3/4L，可降低約25%的穩態熱阻Rth(j-c)，和約45%的瞬態熱阻。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠將電力電子模塊的使用壽命延長50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，銀，銅表面剪切強度都很大。
在能源效率新時代，SiC開始加速滲透電動汽車、光伏儲能、電動車充電樁、PFC/開關電源、軌道交通、變頻器等應用場景，接下來將逐步打開更大的發展空間。
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