大面積燒結銀AS9387成為碳化硅功率器件封裝的
傳統功率模塊中，芯片通常通過錫焊材料連接到基板。在熱循環過程中，連接界面通過形成金屬間化合物層形成芯片、錫焊料合金與基板的互聯
AS9378燒結銀的低溫低壓燒結效果好：為了適應大面積燒結，燒結銀膏需要較低的溫度和壓力下達到良好的燒結效果，同時需要確保燒結質量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發的納米銀粉解決了這一問題。
功率模塊封裝技術的重要趨勢之一是在功率模塊中越來越多地使用碳化硅MOSFET作為Si IGBT的替代品，特別是在電動車的應用中。這導致了對能夠承受更高工作溫度的功率模塊封裝材料的日益增長的需求，例如銀燒結芯片粘接、的低雜散電感電氣互連、Si3N4-AMB襯板、結構化底板以及高溫穩定的封裝材料。
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