晶圓經過前道工席后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復雜。
刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業時對切割刀刃進行實時檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對加工物進行清洗。半自動劃片機LX3356機臺可作業8時wafer，含自動光學補償、聚焦及自特征點功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準線補償調整等。可自動檢測切割刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業時對切割刀刃進行實時檢測。
切片工序的關鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監測的切片系統中，修整工序是通過一套反復試驗來建立的。在刀片負載受監測的系統中，修整的終點是通過測量的力量數據來發現的，它建立佳的修整程序。這個方法有兩個優點:不需要來佳的刀片性能，和沒有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質量差。
藍膜由于受其溫度影響乃粘性度會發生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進行后封裝工藝，而非直接進行倒封裝工藝做Inlay時，可以考慮使用藍膜。
晶圓倒片機是用來調整集成電路產線上晶圓生產材料序列位置的一款設備，它的任務是將產線上的晶圓通過制程需要進行分批、合并、翻轉后進行下一道程序，這就要求晶圓倒片機擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環境要求下制造更好的芯片。
外圓切割組然操作簡單，但據片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內圓切割只有進行直線切割，沒法進行斜面切割。線鋸切割技術具備割縫窄、率、切成片、可進行曲線圖切別等優點成為口前普遍選用的切割技術。
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