DTS+TCB預燒結銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發展領域之一。
終端應用市場對于率、高功率密度、節能的系統設計需求日益增強，與此同時，各國能效標準也不斷演進，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關更快、導熱更好、低阻抗、更穩定等出色特性，正在不同的應用領域發光發熱。
目前燒結銀技術主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質以符合燒結銀的搭接技術以外，由于燒結銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調整補正搭接面平整度不佳造成的搭接問題，燒結銀的搭接技術對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um，對于這種復雜的折彎成型式技術是一大挑戰。
單管封裝中引入擴散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片與lead frame之間的焊料，優化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例，基于GVF預燒結銀焊片，相比當前焊接版的TO247-3/4L，可降低約25%的穩態熱阻Rth(j-c)，和約45%的瞬態熱阻。
使用了GVF預燒結銀焊片使器件結溫可以超過200°C。因此，GVF預燒結銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。
SHAREX的預燒結銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結合了燒結銀，銅箔和其他材料的一種復合材料，由以下四個部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預涂布AS9385系列燒結銀；燒結前可選用臨時固定的膠粘劑；保護膜或者承載物。
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