DTS+TCB預燒結銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發展領域之一。
在成型技術也相當困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個導線架搭兩個芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架制作是很大的技術挑戰。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不僅能顯著提高芯片連接的導電性、導熱性，以及芯片連接的可靠性，并對整個模塊的性能進行優化，還能幫助客戶提高生產率，降低芯片的破損率，加速新一代電力電子模塊的上市時間。
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