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單晶爐真空系統的除塵技術為便于分析研究起見,將整個除塵過程分為有聯系而又有區別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段 均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進入除塵器的除塵空間,根據不同的除塵器類型經受不同的外力作用,將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移,濃度也越來越大,故捕集推移階段實質也是粉塵濃縮的階段。分離階段 高濃度的塵流向分離界面以后,有兩種機理在起作用:氣體運載粉塵的能力將達到極限狀態,懸浮與沉降這對矛盾中,沉降成為主要方面,通過沉降,粉塵從氣體中分離出來。極限狀態的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關。藍寶石長晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長晶爐回收,多晶長晶爐回收,臥式長晶爐回收,拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,單晶硅生長爐的原理簡介/我有更好的/,把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝,通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化;然后,對熔化的硅液稍做降溫,使之產生一定的過冷度,再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會在籽晶下端生長;接著,控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3~5mm的細頸,用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯,這個過程是引晶;隨后,放大晶體直徑到工藝要求的大小,一般為75~300mm,這個過程稱為放肩;接著,突然提高拉速進行轉肩操作,
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