善仁新材的納米燒結銀形成的納米銀互連層具有優良的電、熱性能，可承受710℃的高工作溫度，而且其厚度相比傳統的釬焊接頭要薄50～80%，是實現SiC功率器件封裝的理想互連材料。
② 進行預加熱干燥，用于排除燒結銀中的有機氣體等揮發物，然后在高溫下進行無壓或壓力輔助燒結，主要燒結工藝參數有：升溫速率、燒結溫度、燒結壓強、燒結時間和氣體環境等;
③燒結完成后形成SiC-Cu基板納米燒結銀互連層。可以看到，善仁新材的納米銀燒結互連層是碳化硅功率器件封裝的關鍵結構單元，屬于薄層結構，其厚度范圍一般為20～50μm。SiC芯片和Cu基板表面可以通過鍍銀、金等燒結工藝提升其互連層的連接強度。
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