可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個電極：陽極、陰極和控制極。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。
晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個：陽，陰和門；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
晶閘管的種類：
1、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。
晶閘管導(dǎo)通的條件：
1、晶閘管陽與陰間接正向電壓；
2、控制與陰之間也接正向電壓(實際工作中,控制加正觸發(fā)脈沖信號)；
晶閘管導(dǎo)通后，控制便失去作用。依靠正反饋，晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。
關(guān)斷晶閘管的方法：將陽電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽電壓、將陽瞬間開路。
晶閘管的過電流保護(hù)：
1、過電流：當(dāng)流過晶閘管的電流有效值超過它的額定通態(tài)平 均電流的有效值時，稱為過電流；
2、原因：負(fù)載過重，輸出回路短路等；
3、過電流保護(hù)：當(dāng)發(fā)生過電流時，能迅速將電流切斷，以防晶閘管損壞；
4、措施：靈敏過電流繼電器保護(hù)、快速熔斷器保護(hù)等；
5、快速熔斷器 。
晶體管的主要參數(shù)：
1、反向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開路的條件下，允許重復(fù)加在陽—陰間的大反向阻斷電壓；
2、正向阻斷峰值電壓：在額定結(jié)溫和控制開路及晶閘管正向阻斷的條件下，重復(fù)加在陽—陰間的大正向阻斷電壓；
3、正向平均電流：在規(guī)定環(huán)境溫度及散熱條件下，允許連續(xù)通過工頻正弦半波電流的平均值；
4、通態(tài)平均電壓: 晶閘管導(dǎo)通時管壓降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、維持電流：在室溫和控制開路時，元件能維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的小陽電流；
6、控制觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流：在溫室下，陽—陰間加規(guī)定的正向直流電壓，使晶閘管導(dǎo)通所需的小控制電壓和電流。
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