石英粉是用純石英(天然石英或熔融石英)經破碎、揀選、清洗、酸處理、高溫熔化、中碎、細磨、分級、除鐵等多道工序加工而成的符合使用要求的粉體。石英粉分干法和水法兩種生產方式,各種常規規格:100M,150M,200M,325M,400M,600M,1500M及2000M(M為目數)。另外也可按客戶要求加工異型規格,要求粒度分布的一般也可加工。石英粉不分等級,只分規格。因其具備白度高,無雜質、鐵量低等特點,故應用范圍廣。
用途:制造玻璃,耐火材料(爐料),冶煉硅鐵,涂料,橡膠填料,冶金熔劑,陶瓷,研磨材料,金屬表面處理等方面,在建筑中利用其有很強的抗酸性介質浸蝕能力,制取耐酸混凝土及耐酸砂漿。
石英粉分干法和水法兩種生產方式:
1、干法生產石英粉,主要設備有磕石機、粉碎機、振動篩等。其工藝流程為石英石礦料經過磕石機加工成較小石料,石料再經過粉碎機加工砂粒,然后經過振動篩篩分,在篩分過程中利用磁鐵棒和排磁鐵除鐵,然后分裝完畢入庫。
2、水法生產石英粉,主要設備有磕石機、石碾、烤房、振動篩、水路系統等。
其工藝流程大致如下:石英石礦料經過磕石機加工成較小石料,石料再經過石碾碾壓成砂粒,碾壓時不停的加水,水帶著砂粒流入沉淀池內,再把沉淀池內的砂粒運入烤房烘烤成干砂粒,然后再經過振動篩篩分,在篩分過程中利用磁鐵棒和排磁鐵除鐵,然后分裝完畢入庫。
優良的自然石英,經由過程怪異的低溫處置工藝加工而構成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉為無序分列.其色白,純度較高、活動機能好、并具備如下機能:
一、精良的光學性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補則會使顏料的色采變淺、失真.
二、反射率:方石英的詳細布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強防滑性,又可進步油漆的反光性.
三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機能好.
五、不含有機物凈化,金屬含量極低:可加強涂料的抗紫內線本領,并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數.
六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時,產生必定水平的熱收縮,恰好抵償環氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時的緊縮,使澆注體不變形.
七、極低的熱收縮系數、抗積淀性好、抗腐化性好.
利用行業:電子質料、高功效環氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質料、珠寶行業、特種陶瓷質料、特種耐火質料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質料行業,日用化工,粘合劑,塑料,PTC質料、航空、航天、齒科質料和硅橡膠等中填料,各種產業庇護涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用
石英粉、石英砂、硅微粉水分含量,根據相關標準,石英砂(微硅粉)水分含量如下:
1.超純石英砂含水量≤5%
2.高純度石英砂≤5%
3.特純石英砂≤5%
4.低鐵石英砂≤8%
5.精制石英砂≤8%
6.普通石英砂≤8%
7.球形二氧化硅微粉水分0.05~0.1%
8.電爐回收二氧化硅微粉水分
SF96≤1%,SF93≤2%,SF90≤2.5%,SF88≤3%,SF85≤3%
石英粉、石英砂、硅微粉水分含量檢測方法:
1.烘箱法 2.快速水分儀測定法
膠水填充料用的石英粉可以依照結晶與否,分成結晶型石英粉(CAS:14464-46-1)與非結晶型(不定型)石英粉(CAS:60676-86-0)。前者價格較低,導熱系數較高;后者熱膨脹系數較低,尺寸安定性較佳。結晶型石英粉大多是從天然的石英礦中開采獲得的;非結晶型(不定型)石英粉是將結晶型石英粉在高溫中融化,再快速降溫淬火所得到的,所以又稱為熔融型石英粉。這兩種石英粉又會因為形狀的不同而有不規則狀或者是球狀等種類。前者吸油量較大,具有抗龜裂特性;后者吸油量較低,能夠獲得很大的填充量。
超細石英粉可以達到3000目,國內少數幾家生產,此類產品應用基本都屬于精細化工,屬于戰略資源。石英粉具體介紹如下:
由高純石英粉經的超細研磨工藝加工而成的產品我們一般稱之為硅微粉,也可稱為超細石英粉,是用途極為廣泛的無機非金屬材料.具有介電性能、熱膨脹系數低、導熱系數高、懸浮性能好等優點.因其具有優良的物理性能、的化學穩定性、特的光學性質及合理、可控的粒度分布。
硅微粉是由天然石英(SiO2)或熔融石英(天然石英經高溫熔融、冷卻后的非晶態SiO2)經破碎、球磨(或振動、氣流磨)、浮選、酸洗提純、高純水處理等多道工藝加工而成的微粉。
微硅粉的生產方法主要有:
,三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中,與通入的干燥氯化氫氣體在280~330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應,反應氣體經旋風分離除去雜質,再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態三氯氫硅冷凝成液體,經粗餾塔蒸餾和冷凝,除去高沸物和低沸物,再經精餾塔蒸餾和冷凝,得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內,用超純氫氣作還原劑,在1050~1100℃還原成硅,并以硅芯棒為載體,沉積而得多晶硅成品。
第二,用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合,加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%~98%,被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶,用酸除去雜質,得到純度為99.7%~99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅,還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式,再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅,則需要進行進一步的提純處理。
第三, 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合,用1000~3000kVA開式電弧爐,加熱到1900℃左右進行還原。
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