晶圓升降機構隸屬于晶圓自動傳輸系統,主要承擔著與晶圓裝卸機械手配合完成晶圓在加工工件臺與預對準設備、晶圓盒之間交接的工作。大尺寸的晶圓重量增加,更易變形破損,Z 軸方向上的定位(重復定位)精度直接影響晶圓在過渡過程中平穩安全性;同時要考慮到結構緊湊、潔凈化、低散熱對環境影響盡量小。
晶圓升降機構中的真空吸附系統是用來吸附和釋放品圓,從而進行晶圓的檢測和傳輸,以便實現傳輸的。機構要求晶圓定位精度高,真空吸附系統在吸附和釋放晶圓過程中盡量減小沖擊,要求吸附的時候應當緩慢地增加或減小真空壓力,使得壓力變化為斜坡變化,大限度減小晶圓在真空吸附下精度的損失。
晶圓上表面有定位用的標識,晶圓在預對準階段確定好了與傳輸機械手的相對位置,經過升降機構到達工件臺吸盤上,為了檢測標識位需要其與吸盤相對位置是固定的。因此要求升降機構在圓周方向上不存在轉動。同時光柵傳感器安裝要求光柵尺與讀數頭相對位置在+0.1mm。防轉裝置能機構運動圓周方向相對位置,晶圓傳輸的精度。
集成電路行業發展迅速,對芯片產品的良率要求日益增高,晶圓測試能夠在芯片未進行切割、引線、封裝等多重后道工序加工前進行測試,減少不良品在后續加工中的嚴重浪費,所以急需晶圓測試設備達到高速、、高穩定性的要求。晶圓測試設備達到高速、、高穩定性的要求關鍵在于升降機構。目前晶圓測試裝備采用的升降機構頂升力較小,頂升穩定性較差,精度低,而且有些頂升機構結構復雜,制造成本尚。
晶圓生產過程中,需要采用多種工藝進行處理。處理工藝多是在設備內進行。如潤濕處理,需在潤濕槽內進行。電鍍需要在電鍍槽內進行。而現有技術中,將濕晶圓放入或取出處理裝置的一系列工序都需人工操作,一方面會降低生產效率,提高生產成本,另一方面也會因人工操作不當導致晶圓的損壞,降低生產合格率。同時,人工操作所需空間大,空間利用率低。人工操作的另一個弊端是勞動強度大,效率低,無法滿足大規模生產的需要。人工操作還會導致工人接觸電鍍液或潤濕液而危害工人身體健康。
在制造IC的生產線中,已全面采用了計算機控制和機器人搬運。對于復雜的作人為失誤在所難免,而且在潔凈室中,即使操作者身著無塵服,也不免造成污染。采用計算機控制和機器人搬運,可提高產品質量和安全性,從而降低成本。
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