單管封裝中引入擴散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片與lead frame之間的焊料，優化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例，基于GVF預燒結銀焊片，相比當前焊接版的TO247-3/4L，可降低約25%的穩態熱阻Rth(j-c)，和約45%的瞬態熱阻。
使用了GVF預燒結銀焊片使器件結溫可以超過200°C。因此，GVF預燒結銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。
SHAREX的預燒結銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結合了燒結銀，銅箔和其他材料的一種復合材料，由以下四個部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預涂布AS9385系列燒結銀；燒結前可選用臨時固定的膠粘劑；保護膜或者承載物。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，銀，銅表面剪切強度都很大。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法為：Pick & Place；
在能源效率新時代，SiC開始加速滲透電動汽車、光伏儲能、電動車充電樁、PFC/開關電源、軌道交通、變頻器等應用場景，接下來將逐步打開更大的發展空間。
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