近年來以善仁新材開發的納米燒結銀技術為代表的低溫連接技術是目前功率器件朝耐高溫、高可靠性應用發展的主要趨勢，其基本原理是利用納米尺度下金屬顆粒的高表面能、低熔點特性來實現芯片與基板的低溫低壓燒結互連。
善仁新材的納米燒結銀形成的納米銀互連層具有優良的電、熱性能，可承受710℃的高工作溫度，而且其厚度相比傳統的釬焊接頭要薄50～80%，是實現SiC功率器件封裝的理想互連材料。
納米燒結銀互連層的工藝改進
善仁新材研究院比較了加壓微米燒結銀和無外加壓力納米燒結銀，通過實驗發現納米尺度下的銀具有比微米尺度下更高的燒結驅動力，避免了壓力燒結條件下對芯片和基板中造成缺陷和裂紋等現象，并發現了燒結溫度和燒結壓強的增加會降低燒結銀的孔隙大小，AS9375無壓燒結銀的納米銀互連層的結合強度可達45MPa。
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