DTS+TCB預燒結銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環能力
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應用的發展下，SiC/GaN等第三代半導體材料水漲船高，成為時下火爆的發展領域之一。
終端應用市場對于率、高功率密度、節能的系統設計需求日益增強，與此同時，各國能效標準也不斷演進，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關更快、導熱更好、低阻抗、更穩定等出色特性，正在不同的應用領域發光發熱。
新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應用于電動車逆變器SiC導線架技術為例，導線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結銀AS9385連接技術，
在成型技術也相當困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個導線架搭兩個芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架制作是很大的技術挑戰。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，銀，銅表面剪切強度都很大。
GVF預燒結銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法為：Pick & Place；
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