硅具有優良的半導體電學性質。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏·秒，空穴遷移率為480厘米2/伏·秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·厘米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·厘米的寬廣范圍內，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。
目前，世界上絕大部分廠家采用傳統的改良西門子法生產硅料，作為成熟的技術路線，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協鑫十余年如一日，不斷尋求技術突破以實現提質增效，其的、具有自主知識產權的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術已趨成熟，在產品純度、能耗、產能等各項指標上，均大幅改良西門子法。
光伏組件材料包含玻璃、硅、銀、銅、鋁等有價值組分，大部分物質通過適當回收，實現循環再利用，可有效緩解生態環境壓力、降低光伏全產業鏈能耗等指標，進一步優化光伏組件全生命周期的綠色節能特性。因此，隨著全球光伏從補充能源走向替代能源，進而成為主力能源的趨勢越來越明顯，隨之而來的，光伏組件的回收與無害化處理也是全球面對的急迫問題。
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