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一種實用的單晶爐提拉速度控制系統\前言半導體材料是半導體工業的基礎材料 ,在半導體材料中用量和用途廣的是半導體硅。當今 95 %以上的半導體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路。生產集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結晶生長開始時 ,用低速提拉、生長過程均速提拉的辦法制成的。提拉速度的控制性能將直接影響到晶體的質量。當今 ,隨著 IT產業的迅速發展 ,單晶硅生產市場需求劇,研制一種滿足工藝要求、低成本的提拉速度控制系統具有重要的實際意義。藍寶石長晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長晶爐回收,多晶長晶爐回收,臥式長晶爐回收,拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,單晶爐真空系統的除塵技術為便于分析研究起見,將整個除塵過程分為有聯系而又有區別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段 均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進入除塵器的除塵空間,根據不同的除塵器類型經受不同的外力作用,將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移,濃度也越來越大,故捕集推移階段實質也是粉塵濃縮的階段。分離階段 高濃度的塵流向分離界面以后,有兩種機理在起作用:氣體運載粉塵的能力將達到極限狀態,懸浮與沉降這對矛盾中,沉降成為主要方面,通過沉降,粉塵從氣體中分離出來。極限狀態的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關。
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