深圳市三佛科技有限公司供應XD320B065AG1Z8芯達茂SiCMOS
XD320B065AG1Z8芯達茂SiCMOS在使用IG模塊的場合，選擇何種電壓，電流規格的IG模塊，需要做周密的考慮。a. 電流規格IG模塊的集電極電流增大時，VCE上升，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，元件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控制器件結溫（Tj）在 150℃以下（通常為安全起見，以125℃以下為宜），請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱也加劇，需十分注意。一般來說，要將集電極電流的值控制在直流額定電流以下使用，從經濟角度這是值得推薦的。b.電壓規格IG模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關。例如單相220Vac 輸入，會選擇IG 600~650V 耐壓、三相380Vac 輸入，會選擇IG 1200V 耐壓的元件。IG的VGE耐壓值為±20V(電壓尖峰不可超過±30V)，如在IG模塊加上超出耐壓值的電壓，將會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間，需確保不超出耐壓值的電壓。在使用裝置的場合，如果柵極回路不合適或者柵極回路處于高阻抗狀態（柵極處于開路狀態），在主回路上加上驅動電壓時，則IG有很大概率會損壞，為防止這類損壞情況發生，應在柵極-發射極之間并聯一只10kΩ左右的電阻為宜。XD320B065AG1Z8芯達茂SiCMOS產品供應
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所屬分類：集成電路
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