您可以為所有的蔡司Xradia Versa 儀器選配原位接口套件，包括機(jī)械集成套件、堅(jiān)固耐用的布線導(dǎo)槽和其它設(shè)施（饋入裝置），以及基于測(cè)試規(guī)程的軟件，它能夠簡(jiǎn)化蔡司“定位- 和- 掃描”（Scout-and-Scan）用戶界面中的操作。在蔡司Xradia Versa 上體驗(yàn)原位裝置高水平的穩(wěn)定性、靈活性和集成控制，得益于其光學(xué)架構(gòu)設(shè)計(jì)，在變化的環(huán)境條件下不會(huì)犧牲分辨率。

跨領(lǐng)域融合創(chuàng)新
與掃描探針技術(shù)結(jié)合：實(shí)現(xiàn)場(chǎng)發(fā)射-原子力聯(lián)用成像
低溫場(chǎng)發(fā)射顯微鏡：4K環(huán)境下研究量子限域效應(yīng)
太空應(yīng)用：ESA開發(fā)微型場(chǎng)發(fā)射顯微鏡用于空間站材料失效分析

研究方向
原位表征技術(shù)：集成氣體注入系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)催化反應(yīng)實(shí)時(shí)觀測(cè)（如Hiden Analytical的FEM-Reactor附件）
超快場(chǎng)發(fā)射：飛秒激光激發(fā)下的瞬態(tài)場(chǎng)發(fā)射動(dòng)力學(xué)研究
機(jī)器學(xué)習(xí)輔助分析：采用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)自動(dòng)識(shí)別表面缺陷（識(shí)別準(zhǔn)確率達(dá)92%）

電子源開發(fā)
單晶鎢場(chǎng)發(fā)射體的亮度比熱陰10^5倍，應(yīng)用于高分辨率電子顯微鏡（如JEOL JEM-F200）中，束斑直徑<1 nm。

納米材料表征
碳納米管場(chǎng)增強(qiáng)因子可達(dá)3000，發(fā)射電流密度達(dá)10^7 A/cm2
石墨烯邊緣缺陷位點(diǎn)顯示局部場(chǎng)發(fā)射增強(qiáng)現(xiàn)象

表面吸附動(dòng)力學(xué)研究
通過(guò)實(shí)時(shí)觀測(cè)吸附原子在W(110)表面的遷移過(guò)程，測(cè)得Au原子的擴(kuò)散激活能為0.8 eV，與理論計(jì)算誤差<5%。實(shí)驗(yàn)中觀察到臺(tái)階邊緣對(duì)吸附原子的釘扎效應(yīng)。

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