聚肯電子DCR1007SF2626原廠DYNEX可控硅 晶閘管
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。
可控硅產品性能特點：
1、在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態；
2、可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用；
3、可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；，成本低等等；
4、可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等；
可控硅的主要參數有：
1、 額定通態平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值；
4、 觸發電壓在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。
可控硅有多種分類方法：
1、按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種；
2、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；
3、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅；
6、過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，是過零點才觸發，導通可控硅；
7、非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。
可控硅主要參數：電流
1、額定通態電流即大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
2、反向重復峰值電壓或斷態重復峰值電壓，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏；
3、控制極觸發電流，俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安；
4、在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。
可控硅的用途：
1、小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A；
2、大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等；
3、大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。
可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極：陽極、陰極和控制極。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
可控硅的工作原理：
，可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。
可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。
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