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經(jīng)過(guò)齒輪軸淬火設(shè)備所淬軸類(lèi)：硬度均勻、一致。淬層適中均勻。工作質(zhì)量很高。省電節(jié)能。操作方便。。齒輪軸淬火設(shè)備有多種電源和機(jī)床及輔助夾具的配置，可適用于直徑大500mm-小10mm的各種軸類(lèi)零件的表面淬火。,是一種將工頻50HZ交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹蓄l（300HZ以上1000HZ）的電源裝置，把三相工頻交流電，整流后變成直流電，再把直流電變?yōu)榭烧{(diào)節(jié)的中頻電流，供給由電容和感應(yīng)線圈里流過(guò)的中頻交變電流，在感應(yīng)圈中產(chǎn)生高密度的磁力線，并切割感應(yīng)圈里盛放的金屬材料，在金屬材料中產(chǎn)生很大的渦流。這種渦流同樣具有中頻電流的一些性質(zhì)，即，金屬自身的自由電子在有電阻的金屬體里流動(dòng)要產(chǎn)生熱量。

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在該爐工作前，由設(shè)于排氣口 13上的真空泵將爐內(nèi)空氣排盡，然后從 該爐上端充入。工作時(shí)，爐內(nèi)的石英坩堝上方不斷有一氧化硅和粉塵 雜質(zhì)生成，因此在不斷充入的同時(shí)，所述真空泵同時(shí)將一氧化硅、粉 塵雜質(zhì)與等的混合氣體排出，其中，氣體的流動(dòng)過(guò)程為從石英坩堝上 方經(jīng)坩堝支持器14與發(fā)熱體16之間的間隙，以及發(fā)熱體16與保溫筒17 之間的間隙流入氣流導(dǎo)向裝置20,然后經(jīng)圖6中的氣流導(dǎo)向裝置20的一對(duì) 通氣孔2-3、通氣管19從排氣口 13排出。本實(shí)施例的氣流導(dǎo)向裝置20可有效減小爐內(nèi)空間(尤其是坩堝支持器 14下方的空間)，便于排氣，且利于減少熱能和的消耗量；另外，分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法，用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長(zhǎng)爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。