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DRAM特點(diǎn)如下:
●存儲(chǔ)原理:利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理,需刷新(早期:三管基本單元;之后:?jiǎn)喂芑締卧?[8]
●刷新(再生):為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失,定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 [8]
●刷新時(shí)間:定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間(小于2ms)。 [8]
●優(yōu)點(diǎn): 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低,價(jià)格也低。 [8]
●缺點(diǎn):因需刷新而使外圍電路復(fù)雜;刷新也使存取速度較SRAM慢,所以在計(jì)算機(jī)中,DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 [8]
盡管如此,由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,所用元件少,集成度高,功耗低,所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。
網(wǎng)卡是一塊被設(shè)計(jì)用來允許計(jì)算機(jī)在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行通訊的計(jì)算機(jī)硬件。由于其擁有MAC地址,因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶可以通過電纜或無線相互連接。
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