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隨著電子產品功能及使用環境的不斷升級，密封灌封膠產品的種類也越來越多，在使用選購密封灌封膠的過程中，使用前應根據密封部位的使用條件，密封副偶件的材料，密封副結合面的狀態，被密封介質的種類和性能及固化條件等綜合考慮進行選擇。其中就包括受力狀態、工作溫度、環境以及密封副偶件是否需要可拆性等條件。

四、使用說明? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?產品工藝性能較好，可直接施工，施工方法可采用毛筆涂抹、滾涂、點膠機自動擠出或絲網印刷。

?對所有接觸表面用溶劑清潔后再涂抹硅脂，填滿間隙的前提下越薄越好，多涂并無益處，反而會影響熱傳導

效率。

?用干凈的工具如剃刀片，信用卡邊或干凈的小刀挑起少許導熱硅脂轉移到施工部位，用刮板刮平，再用無絨布將施工部

位周邊多余的導熱硅脂擦干凈。

五、包裝? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?塑料筒裝，凈容量為300ML、500ML、1L、5L；

?金屬軟管包裝, 凈容量為50ML、100ML?300ML 2600ML 10KG。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。
以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。
光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)線水平。