用途：制造玻璃，耐火材料(爐料），冶煉硅鐵，涂料，橡膠填料，冶金熔劑，陶瓷，研磨材料，金屬表面處理等方面，在建筑中利用其有很強的抗酸性介質浸蝕能力，制取耐酸混凝土及耐酸砂漿。

干法生產的石英粉分為普通石英粉、精制石英粉二種等級。因石英石礦料從山上開采下來的時候，本身帶有黃褐色的表皮。挑選出較小的石英石礦料直接破碎篩分的產品稱普通石英粉，表觀呈現黃褐色與白色相間，其優點是價格便宜，缺點是雜質較多，故多用于建筑行業.挑選出大的礦料，經過人工去除表面黃褐色外皮，再加工而成的就是精制石英粉了，其表觀呈現白色，亮晶晶，如同白砂糖一樣。因加工過程費時費料，故價位較高。
　　水法生產的石英粉分為普通石英粉和精制石英粉。把較小的石英石礦料加工成普通石英粉，把大的石英石礦料加工成精制石英粉。與干法石英粉相比，水法石英粉因在生產過程，較少產生設備鐵以及用水沖走雜質，如含鐵量及雜質都少于干法石英粉，但因其加工較為費工費料，故價位較高。
　　石英粉不分等級，只分規格。因其具備白度高，無雜質、鐵量低等特點，故應用范圍廣.

優良的自然石英,經由過程怪異的低溫處置工藝加工而構成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉為無序分列.其色白,純度較高、活動機能好、并具備如下機能:
　　一、精良的光學性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補則會使顏料的色采變淺、失真.
　　二、反射率:方石英的詳細布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強防滑性,又可進步油漆的反光性.
　　三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
　　四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機能好.
　　五、不含有機物凈化,金屬含量極低:可加強涂料的抗紫內線本領,并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數.
　　六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時,產生必定水平的熱收縮,恰好抵償環氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時的緊縮,使澆注體不變形.
　　七、極低的熱收縮系數、抗積淀性好、抗腐化性好.
　　利用行業:電子質料、高功效環氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質料、珠寶行業、特種陶瓷質料、特種耐火質料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質料行業,日用化工,粘合劑,塑料,PTC質料、航空、航天、齒科質料和硅橡膠等中填料,各種產業庇護涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用

石英粉、石英砂、硅微粉水分含量,根據相關標準，石英砂（微硅粉）水分含量如下:
1.超純石英砂含水量≤5%
2.高純度石英砂≤5%
3.特純石英砂≤5%
4.低鐵石英砂≤8%
5.精制石英砂≤8%
6.普通石英砂≤8%
7.球形二氧化硅微粉水分0.05～0.1%
8.電爐回收二氧化硅微粉水分
SF96≤1%,SF93≤2%,SF90≤2.5%,SF88≤3%,SF85≤3%
石英粉、石英砂、硅微粉水分含量檢測方法：
1.烘箱法 2.快速水分儀測定法

優點：
1、顯著提高抗壓、抗折、抗滲、防腐、抗沖擊及耐磨性能，顯著延長砼的使用壽命，特別是在氯鹽污染侵蝕、硫酸鹽侵蝕、高濕度等惡劣環境下，可使砼的耐久性提高一倍甚至數倍。　　
2、具有保水、防止離析、泌水、大幅降低砼泵送阻力的作用。具有約5倍水泥的功效，在普通砼和低水泥澆注料中應用可降低成本。提高耐久性。　
3、提高澆注型耐火材料的致密性，在與Al2O3并存時，更易生成莫來石相，使其高溫強度，抗熱振性增強。　　
從而被廣泛應用于光學玻璃、電子封裝、電氣絕緣、陶瓷、油漆涂料、精密鑄造、硅橡膠、醫藥、化裝品、電子元器件以及超大規模集成電路、移動通訊、手提電腦、航空航天等生產領域。

硅微粉是一種、無味、的無機非金屬材料。由于它具備耐溫性好、耐酸堿腐蝕、導熱系數高、高絕緣、低膨脹、化學性能穩定、硬度大等優良的性能，被廣泛用于化工、電子、集成電路（IC）、電器、塑料、涂料、油漆、橡膠、等領域。隨著高技術領域的迅猛發展，硅微粉亦將步入新的歷史發展時期。

硅微粉是由天然石英（SiO2）或熔融石英（天然石英經高溫熔融、冷卻后的非晶態SiO2）經破碎、球磨（或振動、氣流磨）、浮選、酸洗提純、高純水處理等多道工藝加工而成的微粉。

微硅粉的細度：硅灰中細度小于1微米的占80%以上，平均粒徑在0.1～0.3微米，比表面積為：20～28m2/g。其細度和比表面積約為水泥的80～100倍，粉煤灰的50～70倍。石英粉常用規格為400目，800目，1000目，1500目及2000目。
微硅粉的生產方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應，反應氣體經旋風分離除去雜質，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態三氯氫硅冷凝成液體，經粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式，再經蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進行還原。