當超大規模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時,傳統的二氧化硅柵介質層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效氧化層厚度保持不變的情況下,使用高介電材料替換傳統的柵極介質,使用加大介質層物理厚度的方法,可以明顯減弱直接隧穿效應,并增加器件的可靠性。所以,找尋高介電的柵介質材料就成了當務之急。在高介電柵介質材料中,由于五氧化二鉭既具有較高的介電常數(K-26),又能夠兼容與傳統的硅工藝,被普遍認為是在新一代的動態隨機存儲器(DRAM)電容器件材料中相當有潛力的替代品

制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強的實用價值,已引起人們的密切關注。

Ta2O5（氧化鉭）薄膜的光譜透過波段為0.3～10um，是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。

五氧化二鉭靶材------ InChI=1/5O.2Ta/rO5Ta2/c1-6(2)5-7(3)4五氧化二鉭（Ta2O5）為白色無色結晶粉末，是鉭常見的氧化物，也是鉭在空氣中燃燒生成的終產物。主要用作拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學玻璃用，化工中可作催化劑

在化工、電子、電氣等工業中，鉭可以取代過去需要由貴重金屬鉑承擔的任務，使所需費用大大降低

電容器是鉭的主要終消費領域，約占總消費量的60%。美國是鉭消費量的國家，1997年消費量達500噸，其中60%用于生產鉭電容器。日本是鉭消費的第國，消費量為334噸。